受招標人委托對下列產品及服務進行國際公開競爭性招標，于2023-03-08在 公告。本次招標采用傳統招標方式，現邀請合格投標人參加投標。
1、招標條件
項目概況:宜興中車時代半導體 芯片量測設備項目（重新招標）
資金到位或資金來源落實情況:已落實
項目已具備招標條件的說明:已具備
2、招標內容
招標項目編號:0623-2340J1110035
招標項目名稱:宜興中車時代半導體 芯片量測設備項目（重新招標）
項目實施地點:中國江蘇省
招標產品列表(主要設備):
| 序號 | 產品名稱 | 數量 | 簡要技術規格 | 備注 |
| 1 | DFI缺陷檢測設備 | 2臺 | 該設備可用于半導體功率器件200mm有圖形晶圓制造過程中的全自動缺陷檢測（暗場）。 | 其他詳見技術規格書。 ★本表中所有設備不分包。所有設備不得拆分投標。 |
| 2 | SEM review | 1臺 | 該設備可用于半導體功率器件200mm有圖形晶圓制造過程中的全自動缺陷觀察。 | |
| 3 | AOI | 2臺 | 用于8英寸IGBT芯片制造過程中的全自動缺陷檢測 | |
| 4 | 顆粒儀 | 2臺 | 該設備需要配置完整的傳送系統和量測系統，用于晶圓表面顆粒檢測。 | |
| 5 | 膜厚儀 | 2臺 | 完整的全自動膜厚測量系統，需滿足下文工藝需求所要求的技術條件，該測量系統用于無損自動測量IGBT和FRD硅片上膜層（多晶，氧化層，Nitride，BPSG，光刻膠等）的膜層厚度、折射率n、消光系數k。 | |
| 6 | Overlay（包含光刻工藝仿真軟件） | 1臺 | 該機臺需要配置完整的傳送系統和量測系統用于測量套刻精度。該設備可用于IGBT和FRD硅片的套刻精度測量。 |
3、投標人資格要求
投標人應具備的資格或業績:芯片量測設備:
1、投標人具有所投設備的制造或銷售資格，制造商近三年（以投標截止時間前36個月為有效，以合同或訂單甲方簽訂時間或制造商出具的簽字或蓋章的業績明細表等其他有效證明材料的落款時間為準）芯片量測設備業績合計不低于100臺。（投標文件中必須提供合同或訂單復印件或制造商出具的其他有效證明材料，如簽字或蓋章的業績明細表）
2、投標人如為貿易公司，必須隨投標文件提供制造商針對本項目的《制造商授權書》。
是否接受聯合體投標:不接受
未領購招標文件是否可以參加投標:不可以
4、
備注：您的權限不能瀏覽詳細內容,非正式會員請聯系辦理會員入網注冊事宜，并繳費成為正式會員后登錄網站會員區可查看招標公告、招名方式或下載報名表格等詳細內容！為保證您能夠順利投標，具體要求及購買標書操作流程按公告詳細內容為準。
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來源：中國電力招標采購網?編輯：hnbidding